长江储存推出全新NAND构架:可提升到3Gbps

来源:快报
责任编辑:李志喜
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IT之家8月8日消息 根据长江储存的官方消息,长江存储科技有限责任公司今天公开发布其突破性技术——Xtacking,该技术将有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。

根据官方的说明,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺,以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking?技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本。

长江存储CEO杨士宁博士表示:“目前,世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps,而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking?技术我们有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

据悉,长江存储已成功将Xtacking?技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。

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iPhone 存储3D NAND和ufs2.1那个更快

答:你可能被一些网上的文章弄迷糊了。我来解释一下: 1、NAND颗粒本身就是UFS2.1的存储单元,UFS2.1里面用的NAND可以是2D的也可以是3D的,这和消费者本身没什么关系。如下图结构: 2、UFS只是一个协议接口,要说对比速度,需要用UFS2.x协议和eMMC5....

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