SK海力士宣布业内首款4D闪存:512Gb TLC、年末出样

来源:快报
责任编辑:王亮
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正在美举办的Flash Memory Summit首日已经结束,亮点颇多。

Keynote环节,倒数第二个出场(排在我国的长江存储前)的是SK海力士,它在NAND市场的全球份额排名第五,DRAM份额全球第二。

首先是3D NAND的技术路线选择,SK海力士称,CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型)比Floating Gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。

其实三星从2013年的第一代V-NAND 3D闪存就开始使用CTF了,东芝/西数(闪迪)的BiCS亦是如此。当然,美光/Intel还是坚持浮栅,不过这倒无所谓,毕竟他们有更厉害的3D Xpoint(基于相变内存,还一说是ReRAM磁阻式内存)。

接下来,SK海力士宣布推出了全球首款4D闪存。

从现场给出的技术演示来看,4D闪存和此前长江存储的Xtacking十分相似,只不过外围电路(PUC,Peri.Circuits)在存储单元下方,好处有三点,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。

参数方面,号称业内第一款4D闪存是V5 512Gb TLC,采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准)、面积13平方毫米,今年第四季度出样。

BGA封装的可以做到1Tb(128GB),模组最大2TB,塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB,2019年上半年出样。

性能方面,V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。

另外,V5 4D也规划了QLC闪存,通过96层堆叠,单Die最小1Tb,明年下半年出样。

展望

SK海力士内部的4D闪存已经推进到了128层堆叠,很快可以做到单芯片512GB,2015年做到单芯片8TB。目前,SK海力士的3D NAND是72层堆叠,单芯片最大512Gb(64GB),首款企业级产品PE4010已于今年6月份出货给微软Azure服务器。

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答:海力士是以前的叫法 2012年sk集团并购了海力士然后改名为sk海力士了

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sk海力士普工培训几天后笔试卷,考试内容是什么

答:Hynix 海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。 1. 历史沿革 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立,在1996年正...

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除了三星/SK海力士,韩国半导体居然还有这么多大牛...

答:还有现代集团的现代电子 , 金星集团的LG电子等 , 着手兴建各自的半导体存储器生产厂 其中比较成功的是三星电子和现代电子。 尤其是三星电子,由于大量启用了留学美国归来的管理人才和技术人才 目前已发展成为世界上第二家年销售额超过100亿美元...

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答:全球最大的造内存条的,上次海力士厂区着火了,内存条价格涨了好多。反正是个大厂,具体问工作环境和工资待遇,你可以无视我的回答(*^__^*)

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答:重庆SK海力士半导体有限公司,倒班员工是上4休2,一天上12小时。

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skhynix内存条怎么样图片

答:报告楼主:小的买过 以前买了插上后开机,自动检测出来,鲁大师的描述也是百分百符合,玩了会GTA5,高画质也流畅多了,插上已显示8G双通道,海力士品牌,不错!

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